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我國(guó)成功研制碳化硅紫外單光子探測(cè)器

文章出處:原創(chuàng)網(wǎng)責(zé)任編輯:劉坤尚作者:彭國(guó)臣人氣:-發(fā)表時(shí)間:2014-12-29 16:02:00【

  金蒙新材料公司從相關(guān)渠道獲悉:目前,全球首款可實(shí)現(xiàn)商業(yè)應(yīng)用的碳化硅紫外雪崩單光子探測(cè)器模塊現(xiàn)已在合肥問世。

  該探測(cè)器是基于碳化硅半導(dǎo)體芯片技術(shù)制作而成。作為中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第三十八研究所與南京大學(xué)合作研制的第三代半導(dǎo)體固態(tài)紫外探測(cè)器模塊,其中南京大學(xué)負(fù)責(zé)探測(cè)器芯片研制,中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第三十八研究所負(fù)責(zé)器件封裝、測(cè)試以及讀出電路研制。通過對(duì)探測(cè)芯片設(shè)計(jì)與制備、封裝測(cè)試到讀出電路的一體化研究,碳化硅單光子紫外探測(cè)模塊取得了關(guān)鍵技術(shù)上的顯著突破。其能夠靈敏捕捉到紫外單光子,并且打破了過去依賴于超低溫條件的瓶頸。

  據(jù)悉,目前該探測(cè)器模塊主要性能指標(biāo)均已達(dá)到世界領(lǐng)先水平,其高靈敏度碳化硅紫外雪崩單光子探測(cè)器模塊的成功研制,填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)在高性能固態(tài)紫外探測(cè)領(lǐng)域的空白,為我國(guó)進(jìn)一步在高端紫外探測(cè)市場(chǎng)的發(fā)展奠定了基礎(chǔ)。

此文關(guān)鍵字:碳化硅
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